Het hall-effect in n- and p-germanium halfgeleiders

Experimenteel bepalen van het hall-effect in n- and p-germanium halfgeleiders. Weerstand en Hall-spanning worden gemeten als functie van temperatuur en magnetisch veld op een kubusvormig germanium sample. Uit de gemeten waarden worden de bandafstand, de specifieke geleidbaarheid, het type en de mobiliteit van de ladingsdragers bepaald. Zie documenten voor de engelstalige handleiding. Voordelen:

• De PHYWE Hall Effect Unit wordt rechtstreeks op de pc aangesloten via de USB-kabel, een extra interface is niet nodig
• Eenvoudige opbouw van het experiment
• Ook geschikt voor SEK II
• De PHYWE Hall Effect Unit kan ook worden gebruikt voor metingen met ongedoteerd germanium om de bandgap te meten

Practicum experiment:

1. De Hall-spanning wordt bij kamertemperatuur en een constant magnetisch veld als functie van de stroom gemeten en in een diagram weergegeven. (Meting zonder compensatie van de foutspanning)
2. De Hall-spanning over het monster wordt gemeten bij kamertemperatuur en constante stroom als functie van de magnetische fluxdichtheid B
3. De spanning over het monster wordt gemeten als functie van de temperatuur, met constante bewaking. Uit de metingen wordt de bandgap van germanium berekend
4. De Hall-spanning UH wordt gemeten als functie van de magnetische fluxdichtheid B bij kamertemperatuur. Uit de metingen worden het teken van de ladingsdragers en de Hall-constante RH, de mobiliteit van de ladingsdragers μH en de ladingsdragerconcentratie p berekend
5. De Hall-spanning UH wordt gemeten als functie van de temperatuur bij een constante magnetische fluxdichtheid B en de waarden worden weergegeven in een diagram

Leerdoelen:

• Halfgeleider
• Gap theorie
• Gap afstand
• Intrinsieke geleidbaarheid
• Extrinsieke geleidbaarheid
• Valentieband
• Geleidingsband
• Lorentz-kracht
• Magnetische weerstand
• Mobiliteit
• Geleidbaarheid
• Bandafstand
• Hall-coëfficiënt

Geleverd inclusief Software. Computer niet inbegrepen.

Bijbehorend experiment Zoek hier een experiment dat aan het product is gekoppeld: Experiment voor Het hall-effect in n- and p-germanium halfgeleiders